SiC・BN放熱シート of エイアールブイ株式会社

◆ARシリーズ

主成分SiC(Lタイプ)+SiC(Sタイプ)+BN+酸化アルミ混合+シリコンゴム

厚さ

絶縁破壊電圧 絶縁抵抗 熱抵抗 最高使用温度
2.0kv/㎜以上 1000MΩ 0.34℃/w 240℃

暗灰色


※製造可能厚0.2~2.0m/mで注文に応じ対応いたします。

特徴
高機能SiCの開発に成功し高温特性に(80℃以上)すぐれた絶縁性放熱シートで熱伝導率は国産集電性放熱シート15w/m・kと同程度で高絶縁性を持っています。

◆BRシリーズ

主成分表面処理剤BN+SiC+酸化アルミ+シリコンゴム

厚さ

絶縁破壊電圧 絶縁抵抗 熱抵抗 最高使用温度
5.0kv/㎜以上 1000MΩ 0.2℃/w 230℃ 明灰色

※製造可能厚0.2~0.5m/mで注文に応じ対応いたします。

特徴
BN(窒化ホウ素)製造時に数種の金属添加物を混入焼成し15μ以上の大きさと1.5μ以上の厚さを有する粉体製造に成功。絶縁性のあるSiCの混合物で構成した高性能放熱シートです。

品 名

即定時付加重量(kg) 下面温度(℃) 上面温度(℃) 温度差(℃) 熱抵抗(℃/W) 入力電力(W)
BRタイプ(BN)

0.2

3 47.4 45.2 2.3 0.186 10.0

BRタイプ(BN) 

0.3 3 60.9 60.1 0.8 0.200 10.0

BRタイプ(BN) 

0.6 3 63.1 60.9 2.2 0.250 10.0

ARタイプ(SiC) 

0.2 3 57.7 48.2 9.5 0.896 10.0

ARタイプ(SiC)

0.5 3 63.1 44.8 18.3 1.827 10.0

ARタイプ(SiC)

1.0 3 71.0 41.4 29.6 2.960 10.0

放熱シート使用例

  • 車載(自動車電装品等)
  • デジタル家電、トランジスター冷却
  • パワーモジュールの冷却・スイッチング電源
  • LED照明
  • FPD(フラットパネルディスプレイ)
  • 太陽電池

Si-Si素子に移り変わり高温高効率半導体の冷却は小面積で多くの熱を逃がす必要があります。
数種類のセラミックスフィラーをシリコーン高充填した低熱抵抗の材料です。パワートランジスター、ドライバーIC等から出る熱を効率良く伝えると同時に、絶縁を確保できるため、様々な電子機器の熱対策に最適です。